在华为遭遇台积电断供之后,任正非曾表示,海思虽然可以设计出全球最顶尖的芯片,但国内芯片制造水平却跟不上,暂时还造不出来,华为不可能又做产品又去制造芯片。
这就是国内芯片市场最真实的现状,重资产领域的制造业存在着巨大的短板。作为大陆市场技术最先进、规模最大的代工企业,根据中芯国际官方公示资料可知,现阶段它可量产的最高工艺是14nm制程。
从表面上看,中芯国际与台积电还有不小的差距,毕竟后者已更新到了3nm制程。但工艺上的差距并不代表着技术上的差距。
在梁孟松的带领下,中芯国际近些年的快速崛起有目共睹,仅五年时间,便从90nm迭代到14nm,其更新效率远超当年的台积电和三星。
之所以无法在尖端制程方面更进一步,最主要的原因就是缺少EUV光刻机。虽然中芯国际在2018年之时就曾向ASML定购过EUV光刻机,可在美国的干预之下,这些设备至今也未能到货。
相比之下,拥有优先采购权的台积电,却手握80多台EUV光刻机,这也是台积电能稳坐全球第一大代工厂商宝座的主要原因之一。
按照正常逻辑,中芯国际若想打破如今的芯片格局,就该在先进制程领域加大投资,克服设备短缺的难关。
可没想到的是,中芯国际在前不久却宣布决定,将投资75亿美元在天津建造一座12英寸晶圆厂生产线,聚焦110nm至28nm芯片制程,规划月产能为10万片。
要知道,中芯国际2022年上半年的营收为245.92亿元,如今却投资75亿美元扩产成熟芯片制程,可以说是不折不扣的“大手笔”。
事实上,从去年至今,中芯国际已先后四次投资扩产成熟芯片制程,累计投资超过了1700亿元。在外界看来,中芯国际的这些举动,相当于是放弃了先进制程,把所有的“宝”都押注在了成熟工艺制程,与台积电之间的差距也可能会越来越大。
但从目前的情况来,结果却恰恰相反,中芯国际押注成熟芯片制程的“大手笔”,似乎是赌对了。
据国际半导体协会公布的资料显示,如今全球缺芯状况已得到了缓解,尤其是先进制程工艺,受全球智能手机市场滑坡的影响,尖端芯片非但不缺,反而还出现了严重的产能过剩。
例如高通、联发科等,均已削减先进制程芯片订单,而英特尔、苹果更是推迟了3nm芯片的发布。连台积电也计划放弃N3工艺,甚至还将关停部分EUV光刻机,以此减轻先进制程的成本支出。
反观成熟工艺制程,其市场需求却依然旺盛。虽然成熟制程芯片的性能表现不如先进制程,但应用范围却更广,像智能家电、航天航空、5G基站、人工智能、汽车等诸多关键领域,所用到的都是28nm以上的芯片,市场应用率高达70%以上。
很显然,中芯国际扩产成熟工艺制程的决定是正确的,对国产芯片的发展更是意义重大。
正如中国工程院士吴汉明所说:相比攻克EUV设备、布局高端芯片市场,提高成熟芯片国产化率、做好系统优化,才是当务之急,只有先站稳了中低端市场,才能更好的冲击高端。
据公开资料显示,中芯国际在28nm/14nm成熟芯片方面的良率已达到了比肩台积电是水平,其产能效率、客户数量、订单种类等,均达到了全球第一的位置。
值得强调的是,中芯国际不仅在28nmSoc芯片方面实现了领先,在BCD工艺领域同样做到了后来居上。
BCD工艺与Soc芯片不同,它是单片集成工艺,简单来说就是将三种不同的元器件集中在一颗芯片上,主要应用于汽车、通信等行业。
截止目前,中芯国际的BCD工艺已突破了55nm,而台积电和三星却仍停留在65nm节点,意法半导体更是只有90nm。
如今的成熟芯片市场,可以说是大势已定。中芯国际不仅奠定了自己的行业地位,而且也为接下来的快速发展打下了坚实的基础。
当然,这也意味着台积电不愿看到的情况出现了。原因很清晰,由于台积电已在美国建造了一座5nm晶圆厂,按照美国芯片法案的规定,接受补贴的企业,在未来十年内,将被禁止在中国大陆市场扩大产能和新建先进制程。也就是说,台积电在大陆芯片市场,已失去了与中芯国际一较高下的资格。
另外,随着高端芯片市场的供大于求,在N3工艺方面受阻的台积电,也就无法再次拉大与中芯国际之间的差距。
要知道,我国拥有着全球最大的芯片消费市场,对代工企业而言,只要技术过硬,就完全不愁订单。源源不断的营收支撑,无疑会在很大程度上加快中芯国际扩大商业版图的节奏,以及技术突破创新的步伐。
至于台积电,前途本该是一片光明,毕竟它在代工技术、产能规模等方面都握有巨大优势。可刘德音等高管人员却非要紧跟美国脚步,卑躬屈膝。可叹的是,美国一直都没有把它当做自己人,反而还妄图转移其核心技术。
如今随着国产芯片的不断崛起,台积电似乎是大势已去,但也只能说是自食其果。
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